電源管理芯片過熱會導致芯片性能退化甚至燒毀，破壞設備供電穩定性，檢測需聚焦溫度監測與散熱優化，修復需確保芯片工作在安全溫度范圍，保障核心配件持續穩定供電。從影響來看，首先是供電電壓波動，芯片過熱（如正常工作溫度≤85℃，過熱后升至 120℃）會導致其穩壓功能退化，輸出電壓偏差從 ±2% 增至 ±10%（如 24V 供電降至 21.6V 或升至 26.4V），高頻模塊、信號處理單元等配件會因供電不穩出現頻率漂移、轉換精度下降，料位檢測值頻繁波動（如 ±0.3m）。其次是芯片保護性 shutdown，過熱達到閾值（如 150℃）時，芯片會自動切斷輸出，導致設備突然斷電，未保存的料位數據丟失，同時可能引發 MCU 程序跑飛，設備重啟后需重新配置參數，增加維護時間。此外，芯片壽命縮短，根據 “熱失效模型"，芯片溫度每升高 10℃，壽命約縮短一半，長期過熱會使芯片壽命從 5 年縮短至 1 年，增加設備更換成本，且突發燒毀可能引發電源短路，損壞其他核心配件。檢測與修復步驟如下：檢測芯片溫度，準備紅外測溫儀（精度 ±1℃）、熱成像儀：設備正常運行 1 小時后，測量電源管理芯片（如 MP2359）表面溫度，正常應≤85℃，超過 100℃判定過熱；用熱成像儀觀察芯片周邊電路，若存在局部高溫區域（如周邊電阻溫度＞90℃），可能存在電路異常。排查過熱原因，檢查芯片：是否存在供電輸入電壓過高（如 24V 設備輸入 30V），需在輸入端加裝過壓保護模塊；測量芯片輸出電流，若超過額定電流（如芯片額定 2A，實際 2.3A），檢查下游配件是否存在短路（如信號處理單元主板短路），修復短路故障；檢查芯片散熱措施，若未安裝散熱片或散熱片松動，散熱不良會導致過熱。第三步修復過熱故障，針對原因處理：輸入電壓過高，加裝 DC-DC 降壓模塊（如將 30V 降至 24V）或過壓保護 TVS 管（如 SMBJ28CA）；輸出過載，修復下游短路配件，若負載確實較大，更換更高額定電流的電源管理芯片（如從 2A 更換為 3A）；散熱不良，安裝適配散熱片（如鋁制散熱片，面積≥10cm2），涂抹導熱硅脂（厚度 0.1-0.2mm），確保芯片與散熱片緊密貼合，必要時加裝小型散熱風扇（如 5V/0.1A）。第四步優化供電設計，若長期處于高負載工況：在芯片輸出端增加高頻濾波電容（如 100μF/25V 電解電容并聯 0.1μF 陶瓷電容），降低輸出紋波，減少芯片功耗；調整芯片工作頻率（如從 1MHz 降至 500kHz），降低開關損耗，緩解過熱。驗證效果：芯片工作溫度≤85℃，輸出電壓偏差≤±2%；連續運行 48 小時，芯片無過熱 shutdown，設備供電穩定，料位檢測誤差≤±0.2% FS；模擬高負載工況（如同時啟動通信、報警功能），溫度無明顯升高，確認故障排除。日常維護中，每 3 個月測量一次芯片溫度，高負載、高溫工況縮短至 1 個月，定期檢查散熱片與風扇狀態，防止散熱失效導致過熱。